Attrezzatura per spruzzatura ad atomizzazione ad ultrasuoni con controllo intelligente del volume

Essendo un materiale di base in campi di produzione-di fascia alta come semiconduttori e pannelli di visualizzazione, la qualità del rivestimento del fotoresist determina direttamente gli indicatori chiave delle prestazioni come la risoluzione del chip e la densità dei pixel del pannello. I metodi tradizionali di rivestimento del fotoresist utilizzano principalmente il rivestimento a rotazione che, sebbene semplice da utilizzare, presenta limitazioni significative: in primo luogo, l'utilizzo del materiale è basso (solo il 30% -40%), con una grande quantità di fotoresist sprecata a causa della forza centrifuga, aumentando i costi di produzione; in secondo luogo, l'uniformità del rivestimento è limitata dalla dimensione del substrato, con wafer di grandi dimensioni o substrati flessibili soggetti all'effetto bordo di bordi più spessi e centri più sottili; in terzo luogo, la precisione del controllo dello spessore del rivestimento è insufficiente, rendendo difficile soddisfare i severi requisiti dei processi avanzati (come chip inferiori a 7 nm) per rivestimenti su scala nanometrica; e quarto, si generano facilmente difetti come bolle e fori di spillo, che influiscono sull'integrità del modello fotolitografico.

Con l'evoluzione dei chip semiconduttori verso densità più elevate e dimensioni più piccole e dei pannelli di visualizzazione verso dimensioni più grandi e maggiore flessibilità, il rivestimento fotoresist necessita urgentemente di nuove tecnologie che combinino alta precisione, elevato utilizzo e bassi tassi di difetto. L'attrezzatura per la spruzzatura di atomizzazione ad ultrasuoni, con il suo esclusivo principio di atomizzazione, è diventata una soluzione fondamentale per affrontare questi punti critici.

Scenari applicativi chiave nel settore del fotoresist:

◆ Rivestimento fotoresist per chip semiconduttori: nella produzione di chip logici e chip di memoria (come DRAM e NAND), la spruzzatura con atomizzazione a ultrasuoni può essere utilizzata per il rivestimento anti-riflesso inferiore (BARC), il rivestimento fotoresist principale e il rivestimento antiriflesso superiore (TARC) sulla superficie del wafer. Per i processi di litografia a raggi ultravioletti estremi (EUV), l'apparecchiatura può ottenere rivestimenti fotoresist ultra-(inferiori o uguali a 100 nm), a bassa-rugosità (Ra inferiore o uguale a 0,5 nm), migliorando la risoluzione e le prestazioni di rugosità dei bordi (LER) del modello litografico.

◆ Rivestimento fotoresist per pannelli di visualizzazione: nei processi di produzione di strati di definizione pixel (PDL), filtri colorati (CF) ed elettrodi tattili nei pannelli di visualizzazione LCD e OLED, l'apparecchiatura può essere adattata per rivestire uniformemente substrati di grandi-dimensioni (come G8.5 e G10.5), risolvendo il problema di deformazione durante il rivestimento di substrati OLED flessibili (come le pellicole PI), migliorando al contempo l'adesione tra il fotoresist e il substrato e riducendo l'offset del motivo in successivi processi di sviluppo e incisione.

◆ Rivestimento fotoresist per MEMS e packaging avanzato: nei sistemi microelettromeccanici (MEMS) e nel packaging avanzato di chip (come WLCSP e CoWoS), il fotoresist viene spesso utilizzato come strato di legame temporaneo, strato di passivazione o mezzo di trasferimento del modello. La spruzzatura con atomizzazione a ultrasuoni può ottenere un rivestimento uniforme di strutture tridimensionali complesse (come trincee con proporzioni elevate e array di protuberanze), garantendo l'integrità della copertura del rivestimento in uno spazio ristretto e soddisfacendo i requisiti di allineamento ad alta-precisione del processo di imballaggio.

◆Rivestimento fotoresist funzionale speciale: per fotoresist funzionali speciali come resine fotosensibili e fotoresist a punti quantici, l'apparecchiatura può controllare con precisione i parametri di atomizzazione per evitare l'aggregazione di particelle funzionali (come punti quantici e nanoriempitivi), mantenere le prestazioni ottiche e la sensibilità fotolitografica del fotoresist e adattarsi alle esigenze applicative dei campi emergenti di visualizzazione, rilevamento e altri.